300KW SiC-MOSFET Solid State ເຄື່ອງເຊື່ອມທໍ່ຄວາມຖີ່ສູງ

300KW SiC-MOSFET Solid State ເຄື່ອງເຊື່ອມທໍ່ຄວາມຖີ່ສູງadopts SiC mosfet ແລະມັນມີອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມຕ້ານທານຄວາມກົດດັນສູງ.SiC mosfet ຕົ້ນຕໍແມ່ນໃຊ້ຢູ່ໃນກະດານໂມດູນພະລັງງານ. ປະເພດຂອງກະດານພະລັງງານນີ້ໃຊ້ໃນລັດແຂງ welder ທໍ່ຄວາມຖີ່ສູງ.

ຕົວກໍານົດການດ້ານວິຊາການ:

ກໍາລັງການຜະລິດທີ່ຈັດອັນດັບ: 300kW

ຮູບແບບການເຊື່ອມ: ປະເພດ induction

ແຮງດັນ DC ຈັດອັນດັບ: 240V

ລະດັບກະແສໄຟຟ້າ DC: 1500A

ລະດັບຄວາມຖີ່: 300KHZ

ປະສິດທິພາບທັງໝົດ: η≥85%

ແຮງດັນໄຟຟ້າ: 3 ເຟດສ 380V/50Hz (ອຸປະກອນສາມາດເຮັດວຽກຢູ່ທີ່ແຮງດັນ 380V ± 5%)

ຄວາມສາມາດໃນການກະຈາຍພະລັງງານ: ≥360kVA

ລັກສະນະການປະຕິບັດ

ອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມຕ້ານທານຄວາມກົດດັນສູງ: SiC ເຮັດໃຫ້ການສ້າງອຸປະກອນພະລັງງານຂອງ300KW SiC-MOSFET Solid State ເຄື່ອງເຊື່ອມທໍ່ຄວາມຖີ່ສູງເຮັດວຽກໄດ້ຢ່າງໝັ້ນໃຈ ເຖິງແມ່ນວ່າຢູ່ໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ. SiC ມີຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງສະຫນາມແຍກສໍາລັບ insulation ທີ່ສູງກວ່າ Si ສິບເທົ່າ, ອະນຸຍາດໃຫ້ການຜະລິດອຸປະກອນໄຟຟ້າແຮງດັນສູງທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນຂອງ doping ເພີ່ມຂຶ້ນແລະຄວາມຫນາຂອງແຜ່ນ drift layer thinner ເມື່ອທຽບກັບອຸປະກອນ Si-based.

Miniaturization ແລະການອອກແບບນ້ໍາຫນັກເບົາຂອງອຸປະກອນ: Silicon carbide (SiC) ອຸປະກອນຂອງ300KW SiC-MOSFET Solid State ເຄື່ອງເຊື່ອມທໍ່ຄວາມຖີ່ສູງສະຫນອງການນໍາຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພະລັງງານທີ່ເຫນືອກວ່າ, ເຮັດໃຫ້ລະບົບການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນງ່າຍຂຶ້ນແລະອໍານວຍຄວາມສະດວກໃຫ້ອຸປະກອນຂະຫນາດນ້ອຍແລະການກໍ່ສ້າງນ້ໍາຫນັກເບົາ.

ການເຮັດວຽກຂອງຄວາມຖີ່ສູງແລະການສູນເສຍພະລັງງານຕ່ໍາ: ອຸປະກອນ SiC ເຮັດວຽກຢູ່ໃນຄວາມຖີ່ສູງເຖິງສິບເທົ່າຂອງອຸປະກອນທີ່ໃຊ້ຊິລິໂຄນ, ຮັກສາປະສິດທິພາບໂດຍບໍ່ມີການສູນເສຍຍ້ອນວ່າຄວາມຖີ່ເພີ່ມຂຶ້ນ, ເຮັດໃຫ້ການສູນເສຍພະລັງງານເກືອບ 50%. ນອກຈາກນັ້ນ, ຄວາມຖີ່ຂອງການດໍາເນີນງານທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນຈະຫຼຸດລົງປະລິມານຂອງອົງປະກອບຕໍ່ຂ້າງເຊັ່ນ inductors ແລະ transformers, ເຮັດໃຫ້ປະລິມານຂອງລະບົບຫຼຸດລົງແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງອົງປະກອບ.

ພວກເຮົາບໍ່ພຽງແຕ່ຜະລິດ300KW SiC-MOSFET Solid State Welders ທໍ່ຄວາມຖີ່ສູງ, ແຕ່ຍັງສະຫນອງອຸປະກອນການປິ່ນປົວຄວາມຮ້ອນ induction ປະສິດທິພາບສູງແລະເຊື່ອຖືໄດ້ແລະບາງວິທີແກ້ໄຂ. ຍິນດີໃຫ້ຄຳປຶກສາສຳລັບຂໍ້ມູນລະອຽດ!